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Introdução

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Os produtos os mais novos
Imagem parte # Descrição fabricante Conservado em estoque RFQ
PIMN31,115 Transistor equipado com resistor NPN / PNP 500 MA 50V Transistor de porta dupla

PIMN31,115 Transistor equipado com resistor NPN / PNP 500 MA 50V Transistor de porta dupla

Transistores bipolares pré-biasados (BJT) 2 NPN - pré-biasados (dual) 50V 500mA 420mW Mount de super
BAT 120C,115 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS

BAT 120C,115 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS

Disposição do diodo montagem comum TO-261-4 da superfície do cátodo 25 V 1A de 1 par (C.C.), TO-261A
BCP51-16,115 ACERCA NOVA E ORIGINAL

BCP51-16,115 ACERCA NOVA E ORIGINAL

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Monte de superfície SOT-223
2N7002BKS,115 ESTOQUE NOVO E ORIGINAL

2N7002BKS,115 ESTOQUE NOVO E ORIGINAL

Montagem 295mW 6-TSSOP de superfície da disposição 60V 300mA do Mosfet (Ta)
74LVC2G66GD,125 NOVO E ORIGINAL

74LVC2G66GD,125 NOVO E ORIGINAL

2 1:1 10Ohm 8-XSON do interruptor de IC do circuito (2x3)
74LVC74APW,118 NOVO E ORIGINAL

74LVC74APW,118 NOVO E ORIGINAL

D-tipo 1 borda positiva 14-TSSOP do elemento de Flip Flop 2 do bocado (0,173", largura de 4.40mm)
74LVT14PW,112 NOVO E ORIGINAL

74LVT14PW,112 NOVO E ORIGINAL

Disparador 14-TSSOP de Schmitt do canal de IC 6 do inversor
74LVT14PW,118 NOVO E ORIGINAL

74LVT14PW,118 NOVO E ORIGINAL

Disparador 14-TSSOP de Schmitt do canal de IC 6 do inversor
74AVC8T245PW:112 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL

74AVC8T245PW:112 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL

Transceptor de tradução 1 elemento 8 bits por elemento Saída de 3 estados 24-TSSOP
PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL

PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL

Montagem DPAK da superfície 107W do N-canal 25 V 75A (Tc) (Tc)
Diodo de chip BCV47-QVL NOVO E ORIGINAL

Diodo de chip BCV47-QVL NOVO E ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampères montagem de superfície TO-236AB de 25
PMN45EN,135 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL

PMN45EN,135 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL

Montagem 6-TSOP da superfície 1.75W do N-canal 30 V 5.2A (Tc) (Tc)
Diodo de chip BC857W-QF NOVO E ORIGINAL

Diodo de chip BC857W-QF NOVO E ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
PESD5V0F1BL,315 Diodo de Alta Tensão Novo e Original

PESD5V0F1BL,315 Diodo de Alta Tensão Novo e Original

15V montagem de superfície DFN1006-2 do diodo das tevês da IPP da braçadeira 2.5A (8/20µs)
Diodo de chip PUMT1 NOVO E ORIGINAL

Diodo de chip PUMT1 NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície bipolar 6-TSSOP da disposição 2 PNP do transistor (BJT) 40V (duplo) 100mA 100
Diodo de chip BAV70SRAZ NOVO E ORIGINAL

Diodo de chip BAV70SRAZ NOVO E ORIGINAL

A disposição do diodo 2 a montagem comum 6-XFDFN da superfície do cátodo 100 V 355mA dos pares (C.C.
BZA968A,115 Diodo de Alta Corrente Novo e Original

BZA968A,115 Diodo de Alta Corrente Novo e Original

Montagem de superfície SOT-665 do diodo das tevês da IPP da braçadeira
BAT 120C,115 Diodo de alta tensão novo e original

BAT 120C,115 Diodo de alta tensão novo e original

Disposição do diodo montagem comum TO-261-4 da superfície do cátodo 25 V 1A de 1 par (C.C.), TO-261A
PDZ3.3B,115 Diodo de Alta Tensão Novo e Original

PDZ3.3B,115 Diodo de Alta Tensão Novo e Original

Montagem de superfície SOD-323 do diodo 3,3 V 400 mW ±2% de Zener
PMLL4448,135 Diodo de alta potência novo e original

PMLL4448,135 Diodo de alta potência novo e original

Montagem de superfície LLDS do diodo 75 V 200mA; MiniMelf
BAW56S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

BAW56S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Matriz de diodos 2 pares de ânodo comum 90 V 250 mA (DC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-
BC807,215 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

BC807,215 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 80MHz montagem de superfície TO-236AB de 250 mW
BAT721C,215 PÓSICOS NUEVOS E ORIGINÁRIOS

BAT721C,215 PÓSICOS NUEVOS E ORIGINÁRIOS

Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 40 V 200mA de 1 par (C.C.), SC-5
BAT721S,215 Transistor de efeito de campo

BAT721S,215 Transistor de efeito de campo

Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 40 V de 1 par 200mA (C.C.),
BAT74,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

BAT74,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
BAT74,235 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

BAT74,235 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
BAT74S/S500X Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

BAT74S/S500X Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície TO-253-4 da disposição 30 V do diodo, TO-253AA
BAT74S,135 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

BAT74S,135 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
BAT74S,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

BAT74S,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
BAT 754S,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

BAT 754S,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL

Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.),