Nexperia
- Introdução
- Os produtos os mais novos
Introdução
Nexperia
Os produtos os mais novos
Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
PIMN31,115 Transistor equipado com resistor NPN / PNP 500 MA 50V Transistor de porta dupla |
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) 2 NPN - pré-biasados (dual) 50V 500mA 420mW Mount de super
|
|
|
|
||
BAT 120C,115 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Disposição do diodo montagem comum TO-261-4 da superfície do cátodo 25 V 1A de 1 par (C.C.), TO-261A
|
|
|
|
||
BCP51-16,115 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Monte de superfície SOT-223
|
|
|
|
||
2N7002BKS,115 ESTOQUE NOVO E ORIGINAL |
Montagem 295mW 6-TSSOP de superfície da disposição 60V 300mA do Mosfet (Ta)
|
|
|
|
||
74LVC2G66GD,125 NOVO E ORIGINAL |
2 1:1 10Ohm 8-XSON do interruptor de IC do circuito (2x3)
|
|
|
|
||
74LVC74APW,118 NOVO E ORIGINAL |
D-tipo 1 borda positiva 14-TSSOP do elemento de Flip Flop 2 do bocado (0,173", largura de 4.40mm)
|
|
|
|
||
74LVT14PW,112 NOVO E ORIGINAL |
Disparador 14-TSSOP de Schmitt do canal de IC 6 do inversor
|
|
|
|
||
74LVT14PW,118 NOVO E ORIGINAL |
Disparador 14-TSSOP de Schmitt do canal de IC 6 do inversor
|
|
|
|
||
74AVC8T245PW:112 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Transceptor de tradução 1 elemento 8 bits por elemento Saída de 3 estados 24-TSSOP
|
|
|
|
||
PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL |
Montagem DPAK da superfície 107W do N-canal 25 V 75A (Tc) (Tc)
|
|
|
|
||
Diodo de chip BCV47-QVL NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampères montagem de superfície TO-236AB de 25
|
|
|
|
||
PMN45EN,135 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSOP da superfície 1.75W do N-canal 30 V 5.2A (Tc) (Tc)
|
|
|
|
||
Diodo de chip BC857W-QF NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
|
|
|
|
||
PESD5V0F1BL,315 Diodo de Alta Tensão Novo e Original |
15V montagem de superfície DFN1006-2 do diodo das tevês da IPP da braçadeira 2.5A (8/20µs)
|
|
|
|
||
Diodo de chip PUMT1 NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar 6-TSSOP da disposição 2 PNP do transistor (BJT) 40V (duplo) 100mA 100
|
|
|
|
||
Diodo de chip BAV70SRAZ NOVO E ORIGINAL |
A disposição do diodo 2 a montagem comum 6-XFDFN da superfície do cátodo 100 V 355mA dos pares (C.C.
|
|
|
|
||
BZA968A,115 Diodo de Alta Corrente Novo e Original |
Montagem de superfície SOT-665 do diodo das tevês da IPP da braçadeira
|
|
|
|
||
BAT 120C,115 Diodo de alta tensão novo e original |
Disposição do diodo montagem comum TO-261-4 da superfície do cátodo 25 V 1A de 1 par (C.C.), TO-261A
|
|
|
|
||
PDZ3.3B,115 Diodo de Alta Tensão Novo e Original |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 3,3 V 400 mW ±2% de Zener
|
|
|
|
||
PMLL4448,135 Diodo de alta potência novo e original |
Montagem de superfície LLDS do diodo 75 V 200mA; MiniMelf
|
|
|
|
||
BAW56S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 2 pares de ânodo comum 90 V 250 mA (DC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-
|
|
|
|
||
BC807,215 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 80MHz montagem de superfície TO-236AB de 250 mW
|
|
|
|
||
BAT721C,215 PÓSICOS NUEVOS E ORIGINÁRIOS |
Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 40 V 200mA de 1 par (C.C.), SC-5
|
|
|
|
||
BAT721S,215 Transistor de efeito de campo |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 40 V de 1 par 200mA (C.C.),
|
|
|
|
||
BAT74,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
|
|
|
|
||
BAT74,235 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
|
|
|
|
||
BAT74S/S500X Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície TO-253-4 da disposição 30 V do diodo, TO-253AA
|
|
|
|
||
BAT74S,135 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
|
|
|
|
||
BAT74S,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
|
|
|
|
||
BAT 754S,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.),
|
|
|
|