VISHAY
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Introdução
VISHAY
Os produtos os mais novos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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Diodo de interruptor rápido SOT23 do caso de RoHS SOD123 1N4148W-E3-08 |
Montagem de superfície SOD-123 do diodo 75 V 150mA
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GRAMA de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodos de Schottky do sinal |
Montagem de superfície SOD-80 MiniMELF do diodo 30 V 200mA
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Tensão VISHAY do suporte isolador do poder de pulso SMBJ170A-E3/52 máximo 600W 17V |
275V montagem de superfície DO-214AA do diodo das tevês da IPP da braçadeira 2.2A (SMBJ)
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IRFP9240 Rectificador de propósito geral Diodo P Canal com 150W através do buraco |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-247AC
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Canal IRFP9240PBF do Mosfet 12A 200V P do poder de TO-247 VISHAY |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-247AC
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VO1400AEFTR Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
SPST-NO de circuito integrado (1 formulário A) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
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VS-60CPQ150PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo cátodo comum 150 V 30A de 1 par através do furo TO-247-3
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VS-36MB160A Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Padrão da fase monofásica de retificador de ponte terminal D-34 de um QC de 1,6 quilovolts
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IRF640PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) através do buraco TO-220AB
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IRF620PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) através do buraco TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W NOVO E ORIGINAL |
Diodo 100 V 10A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF |
O diodo 600 V 25A através do furo TO-247AC alterou
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE TCMT1107 |
Canal 4-SOP da saída 3750Vrms 1 do transistor do Optoisolator
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE 1N5245B-TAP |
Diodo 15 V 500 mW ±5% de Zener através do furo DO-35 (DO-204AH)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3 |
N-canal 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), (Tc) montagem TO-252AA da superfície 136W
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IRF620PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) através do buraco TO-220AB
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VS-63CPQ100PBF Transistor de Efeito de Campo |
Diodo 1 par Cátodo comum 100 V 30A através do buraco TO-247-3
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IRF9540PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
P-canal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-220AB
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IRF9640STRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
P-canal 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), (Tc) ² PAK da montagem D da superfície 125W (TO-263)
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IRF9630PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
P-canal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) através do furo TO-220AB
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VS-ETH1506S-M3 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície TO-263AB do diodo 600 V 15A (² PAK de D)
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VO0630T Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Optoisolador de saída lógica de 10 MBd de vazão aberta 4000Vrms 2 canais 1kV/μs CMTI 8-SOIC
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IRF640PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) através do buraco TO-220AB
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A através do furo TO-220AC
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PDTC144ET Diodo de chip NOVO E ORIGINAL |
Transistores bipolares pré-biasados (BJT)
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V40150C-E3/4W Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo cátodo comum 150 V 20A de 1 par através do furo TO-220-3
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRF830BPBF |
N-canal 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) através do furo TO-220AB
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE S3D-E3/57T |
Montagem de superfície DO-214AB do diodo 200 V 3A (SMC)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE SI3456DDV-T1-GE3 |
N-canal 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), (Tc) montagem 6-TSOP da superfície 2.7W
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE SUP85N03-04P-E3 |
N-canal 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) através do furo TO-220AB
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